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        1. 规格书



          高压瓷介电容器用钛酸钡作为电介质/电极绕制而成,导线采用镀锡铜包钢线,使用环氧树脂包封。



          ※技术要求

          额定电压:250V,500V,1000V,2000V,10000V,150000V

          电容量范围:100pF~10000pF

          电容量偏差:±5%(J) ±10%(k) ±20%(M)

          工作温度:-25℃~-85℃

          耐电压:1.5UR(5s)

          损耗角正切:SL.YLQ>1000.Y5PY5UY5V D.F<2.5%,Bn D.F<0.5%,2R D.F<0.1%



          ※特点

          1.损耗低,容量稳定性高
          2.适用于脉冲回路、谐振回路及温度补偿效应的回路

          3.适用于作高压旁路或耦合电路中

          4.适用于电子设备中跨电源连接、旁路、天线耦合、及开关浪涌抑制器


          高压瓷介电容器
          高压瓷介电容器
          高压瓷介电容器

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